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Samsung、HBMロードマップ3フェーズでメモリと演算融合
SamsungがHot Chips 2026で発表したHBMの3フェーズロードマップ。ベースダイを先端ロジックプロセスに移行し、最終的にDRAMをプロセッサー直上に積層するzHBMを実現する計画。
SamsungがHot Chips 2026で発表したHBMの3フェーズロードマップ。ベースダイを先端ロジックプロセスに移行し、最終的にDRAMをプロセッサー直上に積層するzHBMを実現する計画。
AI需要によるHBM高騰で、メモリのGB単価が2007年以来の水準に上昇。20年分の価格低下が数ヶ月で帳消しになった事実は、テクノロジー史上初の異例だ。
SandiskとSK Hynixが開発するHigh-Bandwidth Flash(HBF)はNANDフラッシュを16層積層し、512GB容量と1.6TB/s帯域を実現。HBMの代替として期待される一方、書き込み耐久性とレイテンシという根本的な課題を抱える。
SamsungがNvidiaを抜き、2026年第2四半期の営業利益で世界一のテクノロジー企業となった。半導体部門の年間利益は過去40年の累積を超える見通し。
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